(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202122742773.5 (22)申请日 2021.11.10 (73)专利权人 东莞市尼的科技股份有限公司 地址 523000 广东省东莞 市茶山镇伟建路 28号 (72)发明人 刘敏　 (74)专利代理 机构 东莞科强知识产权代理事务 所(普通合伙) 44450 专利代理师 李英华 (51)Int.Cl. B32B 33/00(2006.01) B32B 3/08(2006.01) B32B 3/30(2006.01) B32B 7/14(2006.01) H01L 21/683(2006.01)H05F 1/02(2006.01) (54)实用新型名称 一种用于晶圆切割的保护膜 (57)摘要 本实用新型公开了一一种用 于晶圆切割的 保护膜， 包括上耐高温层和下耐高温层， 所述上 耐高温层顶部设置有防静电层， 所述下耐高温层 底部设置有隔热层， 所述上耐高温层和下耐高温 层相对的一侧均开设有均匀分布的点胶槽， 所述 点胶槽内设置有溶胶， 所述溶胶与点胶槽内壁相 黏贴， 所述上耐高温层和下耐高温层均与晶圆形 状一致， 所述防静电层和隔热层相对的一侧靠近 四角处均固定连接有定位块， 通过防静电层、 定 位块、 定位槽、 点胶槽、 点胶等之间的相 互配合， 可实现加工时防静电产生， 并且由点胶将上耐高 温层和下耐高温层与晶圆黏附在一起， 通过点状 的点胶槽和点胶能够使 得在后期清理时， 比较容 易将点胶清揭掉， 可有效的提高其使用效率。 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 CN 216761135 U 2022.06.17 CN 216761135 U 1.一种用于晶圆切割的保护膜， 包括上耐高温层 （2） 和下耐高温层 （4） ， 其特征在于： 所 述上耐高温层 （2） 顶部设置有防静电层 （3） ， 所述下耐高温层 （4） 底部设置有隔热层 （5） ， 所 述上耐高温层 （2） 和下耐高温层 （4） 相对的一侧均开设有均匀分布的点胶槽 （8） ， 所述点胶 槽 （8） 内设置有溶胶 （1） ， 所述溶胶 （1） 与点胶槽 （8） 内壁相黏贴。 2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的保护膜， 其特征在于： 所述上耐高温层 （2） 和下耐高温层 （4） 均 与晶圆形状一 致。 3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的保护膜， 其特征在于： 所述防静电层 （3） 和隔热层 （5） 相 对的一侧 靠近四角处均固定连接有定位块 （6） ， 所述上耐高温层 （2） 和下耐 高温层 （4） 与相远离的一侧均开设有与定位块 （6） 相匹配的定位槽 （7） ， 所述定位块 （6） 延伸 至定位槽 （7） 内。 4.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的保护膜， 其特征在于： 所述防静电层 （3） 与上耐高温层 （2） 固定连接 。 5.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的保护膜， 其特征在于： 所述点胶槽 （8） 呈 圆形设置 。 6.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的保护膜， 其特征在于： 所述下耐高温层 （4） 与隔热层 （5） 固定连接 。 7.根据权利要求1所述的一种用于晶圆切割的保护膜， 其特征在于： 所述溶胶 （1） 材质 为耐高温胶。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216761135 U 2一种用于晶圆切割的保护膜 技术领域 [0001]本实用新型 涉及晶圆加工相关技 术领域， 具体为 一种用于晶圆切割的保护膜。 背景技术 [0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片， 由于其形状为圆形， 故称为晶圆， 在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构， 而成为有特定电性功能之IC产品， 晶圆的原 始材料是硅， 晶圆是硅晶棒经过切段、 滚磨、 切片、 倒角、 抛光、 激光刻包装后， 即成为积 体电 路工厂的基本原料， 在加工时产生的热量， 这些会破坏晶圆表层， 所以需要在晶圆表面贴保 护膜。 [0003]但是现有的部分保护膜在使用完后不易清理， 使得溶胶容易残留在晶圆表面上， 造成清理时较为费时费力， 并且缺少防静电处理， 使 得静电容易对晶圆表面进 行伤害， 以及 出现高温的情况下， 表层的保护膜容易出现位移， 降低保护的作用， 从而造成其保护效果差 和使用效率低等 缺陷， 因此我们提出一种用于晶圆切割的保护膜。 实用新型内容 [0004]本实用新型的目的在于提供一种用于晶圆切割的保护膜， 以解决上述背景技术中 提到的， 部 分保护膜在使用完后不易清理， 使得溶胶容易残留在晶圆表面上， 造成清理 时较 为费时费力， 并且缺少防静电处理， 使得静电容易对晶圆表 面进行伤害， 以及出现高温的情 况下， 表层的保护膜容易出现位移， 降低保护的作用， 从而造成其保护效果差和使用效率低 的缺陷。 [0005]为实现上述目的， 本 实用新型提供如下技术方案： 一种用于晶圆切割的保护膜， 包 括上耐高温层和下耐高温层， 所述上耐高温层顶部设置有防静电层， 所述下耐高温层底部 设置有隔热层， 所述上耐高温层和下耐高温层相对的一侧均开设有均匀分布的点胶槽， 所 述点胶槽内设置有溶胶， 所述溶胶与点胶槽内壁相黏贴。 [0006]进一步的， 所述上耐高温层和下耐高温层均 与晶圆形状一 致。 [0007]进一步的， 所述 防静电层和隔热层相对的一侧靠近四角处均固定连接有定位块， 所述上耐 高温层和下耐 高温层与相远离的一侧均开设有与定位块相匹配的定位槽， 所述定 位块延伸至 定位槽内。 [0008]进一步的， 所述防静电层与上耐高温层固定连接 。 [0009]进一步的， 所述 点胶槽呈圆形设置 。 [0010]进一步的， 所述下耐高温层与隔热层固定连接 。 [0011]进一步的， 所述溶胶材质为耐高温胶。 [0012]本实用新型提供了一种用于晶圆切割的保护膜， 具 备以下有益效果： [0013]（1） 本实用新型通过上耐高温层、 下耐高温层、 隔热层等之间的相互配合， 可实现 对晶圆的两面同时进行抗高温腐蚀的作用， 达到对晶圆高温保护的作用， 可有效的提高其 保护的作用；说　明　书 1/3 页 3 CN 216761135 U 3