ICS29.045 CCSH80 中华人民共和国国家标准 GB/T43612—2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱 Collectionofmetallographsondefectsinsiliconcarbidecrystalmaterials 2023-12-28发布 2024-07-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布 目 次 前言 Ⅰ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 缩略语 2 …………………………………………………………………………………………………… 5 碳化硅晶体材料缺陷 2 …………………………………………………………………………………… 5.1 晶锭缺陷 2 …………………………………………………………………………………………… 5.2 衬底缺陷 4 …………………………………………………………………………………………… 5.3 外延缺陷 8 …………………………………………………………………………………………… 5.4 工艺缺陷 12 …………………………………………………………………………………………… 6 缺陷图谱 13 ………………………………………………………………………………………………… 6.1 晶锭缺陷图谱 13 ……………………………………………………………………………………… 6.2 衬底缺陷图谱 14 ……………………………………………………………………………………… 6.3 外延缺陷图谱 22 ……………………………………………………………………………………… 6.4 工艺缺陷图谱 41 ……………………………………………………………………………………… 参考文献 44 …………………………………………………………………………………………………… 索引 45 …………………………………………………………………………………………………………GB/T43612—2023 前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第 三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、 北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半 导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体 科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有 限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏 卓远半导体有限公司。 本文件主要起草人:丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、 李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、 张胜涛、夏秋良、李国平。 ⅠGB/T43612—2023